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Obiettivo di polverizzazione della lega di tungsteno

Obiettivo di polverizzazione della lega di tungsteno

Obiettivo di sputtering della lega di tungsteno L'obiettivo di sputtering della lega di titanio di tungsteno può essere utilizzato per realizzare la barriera di diffusione per chip semiconduttori, la nuova cella solare e il circuito ceramico a film sottile. L'obiettivo di polverizzazione della lega di tungsteno può essere utilizzato per lo strato di contatto ohmico del ...

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I dettagli del prodotto

Obiettivo di polverizzazione della lega di tungsteno


L'obiettivo di polverizzazione del titanio in lega di tungsteno può essere utilizzato per realizzare la barriera di diffusione per chip semiconduttori, la nuova cella solare e il circuito ceramico a film sottile.

L'obiettivo di polverizzazione della lega di tungsteno può essere utilizzato per lo strato di contatto ohmico dei chip a semiconduttore.

genere

W

(% in peso)

Ti

(% in peso)

Si

(% in peso)

Purezza

(% in peso)

Densità

(%)

Granulometria (μm)

Dimensione (max.mm)

RA

WTi10

90 ± 0.5

10 ± 0.5

/

99,9-99,999

≥99

10

? 400 × 40

≤1.6

WTi20

80 ± 0.5

20 ± 0.5

/

99,9-99,995

≥99

10

? 400 × 40

≤1.6

WSi10

90 ± 0.5

/

10 ± 0.5

99,9-99,999

≥99

10

? 400 × 40

≤1.6

WSi20

80 ± 0.5

/

20 ± 0.5

99,9-99,999

≥99

10

? 400 × 40

≤1.6


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